今年上半年，功率半導體行業仍處于行業周期的底部醞釀復蘇的階段，面對逆周期的挑戰，優異的企業選擇堅守內核，保持高敏銳度，等待深蹲起跳的機遇。

這其中，科創板上市企業鍇威特(688693.SH)堅持自主創“芯”，圍繞“功率IC +功率器件”的雙輪驅動發展戰略，持續加大研發創新投入，第三代功率半導體取得實質性進展。

公司已成功掌握了功率半導體芯片的前沿設計技術，并自主構建了多個針對功率半導體細分市場的技術平臺。公司在高可靠性、工業控制（涵蓋汽車前裝與后裝、新能源）以及消費電子三大核心領域，已推出包括平面 MOSFET、功率IC等超過700款產品，這些豐富的產品線充分滿足了客戶的多元化需求，同時，針對高可靠功率電源模塊及電機驅動模塊提供各功率段的芯片解決方案能力，有力推動了功率半導體核心芯片的國產化進程，實現了自主可控的目標。

持續加大研發創新投入

研發費用同比增長43.58%

根據鍇威特8月30日發布的半年度業績報告，公司實現營業總收入5763.07萬元。為進一步回饋股東，公司決定向全體股東實施現金分紅，具體方案為每10股派發1元人民幣（含稅），據此計算，本次分紅總額預計為7,368,421.10元人民幣（含稅）。

報告期內，公司堅守研發創新能力建設，持續增加研發投入，根據市場發展趨勢、下游客戶需求，不斷拓寬產品系列，有序推動產品研發與迭代升級工作，加強自主研發產品的市場競爭力。報告期內，公司研發費用達到2,498.00萬元，較去年同期增長43.58%，為公司未來發展注入硬核驅動力。

截至2024年6月30日，公司研發人員占比高達41.71%。在知識產權方面，報告期內，公司新增授權專利21項（含發明專利19項、實用新型專利2項），并新增集成電路布圖設計專有權11項。截至同日，公司累計獲得授權專利109項（含發明專利66項、實用新型專利43項），集成電路布圖設計專有權87項。

產品矩陣豐富

MOSFET多項技術達到國際先進水平

在功率器件領域，公司產品專注于高壓平面MOSFET的研發與生產，產品覆蓋40V至1700V電壓段，構建了一個包含低壓、中壓、高壓在內的全系列功率MOSFET產品線，共包含近500種不同規格的產品。此外，公司依托平面MOSFET工藝平臺，成功設計并開發了集成快恢復高壓功率MOSFET（FRMOS）系列產品。

在技術積淀方面，公司已成功掌握多項核心技術，這些技術包括但不限于“高可靠性元胞結構設計” “新型復合終端結構及其實現工藝技術”以及“一種基于Power MOS管的高壓快速啟動AC-DC開關電源實現方案”等。尤為值得一提的是，其中三項技術已達到國際先進水平，另一項技術則在國內占據領先地位。這些技術突破極大地提升了公司產品的關鍵性能指標，使其能夠與國際頂尖廠商的同類產品比肩。

在報告期內，公司完善了溝槽MOSFET及高壓超結技術的工藝平臺優化與產品布局工作，成功開發了100V SGT工藝平臺，并構建了面向12英寸晶圓、覆蓋20V至40V電壓范圍的溝槽工藝平臺。同時，完成了650V 100A大電流超結產品的開發。

第三代功率半導體設計能力國內領先

以SiC為代表的第三代半導體材料，為功率半導體行業帶來了新的發展契機。SiC憑借低功耗、耐高壓、耐高溫、高頻等優勢特性，在助力國家實現碳中和戰略目標方面具有重要作用，應用前景廣闊。

據了解，鍇威特已同時具備硅（Si）基及SiC基功率器件的設計、研發能力，并積累了多項具有原創性和先進性的核心技術。特別是在SiC基功率器件方面，公司是國內少數幾家掌握650V至3300V SiC MOSFET設計能力的企業之一，其產品已成功覆蓋行業內主流電壓段。

在報告期內，公司加大了SiC MOSFET加工領域的產能布局，并深化了工藝平臺的開發。公司與國內晶圓代工廠緊密合作，共同研發了針對1200V、1700V、2600V及3300V SiC MOSFET的先進生產工藝平臺。其中，1200V SiC MOSFET的工藝平臺已順利推進至中試階段，展現出良好的技術成熟度與穩定性。此外，公司還新推出了2600V與3300V SiC MOSFET產品，目前產品進入客戶驗證階段。

功率IC產品線持續拓寬

成功推出多款高性能產品

在功率IC領域，公司的產品系列聚焦于PWM控制IC與柵極驅動IC。截至目前，公司已成功開發出逾百款功率IC產品，并圓滿完成了多款IC所需的IP設計與驗證。在技術創新層面，公司自主研發了諸如“全電壓范圍多基準電壓同步調整電路及高精準過壓保護電路”、“輸入失調電壓自動修正電路”等核心技術，這些技術顯著提升了產品參數的統一性，增強了產品可靠性。

報告期內，在PWM控制IC領域，公司持續拓寬產品線，實現了反激、正激、半橋、推挽、全橋、移相全橋等隔離拓撲產品的系列化布局。同時，推出了輸入電壓高達100V以上的同步Buck控制器及同步Boost控制器等新型產品。在功率驅動IC領域，公司亦取得顯著進展，成功推出了80V 3A集成MOSFET的單芯片H橋驅動芯片，該芯片支持100%占空比工作，進一步增強了系統的安全性與可靠性。此外，公司還推出了180V GaN 專用半橋驅動芯片，工作頻率高達 1MHz 以上，展現了卓越的性能。

未來，公司計劃進一步拓展細分品類功率半導體芯片，推動功率IC與功率器件產品系列化進程，提升硅基MOSFET產品的技術水平和性能表現，優化平面MOSFET、FRMOS等產品結構及應用領域布局，強化在超高壓電壓段的產品開發、技術積累與客戶拓展。隨著產品線的持續豐富及對新應用領域的不斷探索，公司將進一步增強市場占有率和核心競爭力，成為集一站式、全品類于一體的高性能功率半導體產品供應商，助力功率半導體國產化替代。

免責聲明：本文僅供參考，不構成投資建議。

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